光で情報を書き換える新しい磁気メモリ材料を開発～超高速で省エネな次世代メモリ実現へ前進～

QST高崎量子技術基盤研究所量子機能創製研究センターの境誠司グループリーダー、兵庫県公立大学法人兵庫県立大学及び公益財団法人高輝度光科学研究センター（JASRI）の研究グループは、東京科学大学、NTT株式会社と共同で、磁気メモリの記録（電子スピンの向き）をレーザー光パルス照射のみで書き換え可能な実用的材料の開発に世界で初めて成功しました。

QSTプレスリリース（QSTウェブサイトへ）：
https://www.qst.go.jp/site/press/20260608.html